LPCVD的工艺原理
作者: Tom聊芯片智造
作者简介: 技术交流，或免费进半导体行业群，➕微:chip919
描述: 这是晶圆厂中 LPCVD 工艺原理：将几十到上百片晶圆置于石英舟，推进工艺腔室，用真空泵将腔室压力抽至数百毫托的低压状态，通入反应气体并加热腔体到八九百摄氏度，气体水平流动，部分分子扩散到晶圆表面，经高温化学反应生成固态薄膜。该工艺沉积均匀性高、薄膜质量好，广泛用于多晶硅、氧化硅、氮化硅薄膜沉积。
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描述: 这是晶圆厂中 LPCVD 工艺原理：将几十到上百片晶圆置于石英舟，推进工艺腔室，用真空泵将腔室压力抽至数百毫托的低压状态，通入反应气体并加热腔体到八九百摄氏度，气体水平流动，部分分子扩散到晶圆表面，经高温化学反应生成固态薄膜。该工艺沉积均匀性高、薄膜质量好，广泛用于多晶硅、氧化硅、氮化硅薄膜沉积。
